真空法氦质谱检漏
采用真空法检漏时，需要利用辅助真空泵或检漏仪对被检产品内部密封室抽真空，采用氦罩或喷吹的方法在被检产品外表面施氦气，当被检产品表面有漏孔时，氦气就会通过漏孔进入被检产品内部，再进入氦质谱检漏仪，从而实现被检产品泄漏量测量。大漏孔的简易测试方法是将试件抽空，在短时间内观察是否保持抽空压强，如试件能保持抽空压强，则表明它不存在任何大漏孔，可充注检漏气体。按照施漏气体方法的不同，又可以将真空法分为真空喷吹法和真空氦罩法。其中真空喷吹法采用喷枪的方式向被检产品外表面喷吹氦气，可以实现漏孔的; 真空氦罩法采用有一定密闭功能的氦罩将被检产品全部罩起来，在罩内充满一定浓度的氦气，可以实现被检产品总漏率的测量。
真空法的优点是检测灵敏度高，可以，能实现大容器或复杂结构产品的检漏。
真空法的缺点是只能实现一个大气压差的漏率检测，不能准确反映带压被检产品的真实泄漏状态。
真空法的检测标准主要有QJ3123-2000《氦质谱真空检漏方法》、GB /T 15823-2009《氦泄漏检验》，主要应用于真空密封性能要求，但不带压工作的产品，如空间活动部件、液氢槽车、环境模拟设备等。
切勿放空或溢出检漏气体至试漏区
试漏中的可检漏率与检漏气体的本底浓度关系甚大，尽管检漏仪只检测检漏气体的浓度变化, 高的本底浓度还趋于出现高的波动。在压力的作用下，如果这些元件存在漏点，必然会有氦气通过这些小孔进入到元件内部。如果在试漏后将检漏气体排放在试漏区内，那么在整个工作日内本底浓度将不断地增长。此外，在充注或排放中要确保无气体溢出，并定期检查连接件是否有漏。
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氦气在在半导体中的检漏作用
为了防止半导体器件、集成电路等元器件的表面因玷污水汽等杂质而导致性能退化，就必须采用管壳来密封。背压法的缺点是不能进行大型密封容器的漏，否则由于密封腔体容积太大，导致加压时间太长。但是在管壳的封接处或者引线接头处往往会因为各种原因而产生一些肉眼难以发现的小洞，所以在元器件封装之后，就需要采取某些方法来检测这些小洞的存在与否。 氦气检漏就是采用氦气来检查电子元器件封装管壳上的小漏洞。因为氦原子的尺寸很小，容易穿过小洞而进入到管壳内部，所以这种检测方法能够检测出尺寸很小的小洞（即能够检测出漏气速率约为10?11～10?12cm3/sec的小洞），灵敏度可与性检漏方法匹敌，但要比性检漏方法简便。
氦气检漏试验的方法：首先把封装好的元器件放入充满氦气的容器中，并加压，让氦气通过小洞而进入管壳中；然后取出，并用压缩空气吹去管壳表面的残留氦气；接着采用质谱仪来检测管壳外表所漏出的氦气。
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